FOOLADVAND, H.; ABBASIAN , K.; BAGHBAN , H. Multiplexor 4 x 1 de alto rendimiento basado en un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono de pared simple con lógica de transistor de paso similar a CMOS. Revista Ingeniería UC, [S. l.], v. 27, n. 3, p. 294–303, 2020. DOI: 10.54139/revinguc.v27i3.149. Disponível em: https://revistas.uc.edu.ve/index.php/revinguc/article/view/149. Acesso em: 3 jul. 2024.